BAV70 / BAW56 / BAV99
Diodes
3/3
00123456 87910
8
4
5
6
7
9
10
1
2
3
FORWARD CURRENT : IF
(mA)
REVERSE RECOVERY TIME : t
rr (
ns)
VR=6V
Fig.7 Reverse recovery time
P Type
N Type
5?
50?
100ns
0.1I
R
0
INPUT
OUTPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
PULSE GENERATOR
OUTPUT 50?
0.01μF D.U.T
trr
I
R
Fig.8 Reverse recovery time (trr) measurement circuit
相关PDF资料
BAV99TA DIODE HI SPEED SW DUAL SOT23-3
BAV99W-7 DIODE DUAL SW 75V 200MW SC70-3
BAV99WT1G DIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT323
BAV99 DIODE ULTRAFAST HI CIND SOT-23
BAW101-7 DIODE ARRAY 300V 250MA SOT143
BAW101S,115 DIODE DUAL 300V 250MA SOT-363
BAW101S-7 DIODE ARRAY 300V 250MA SOT363
BAW101V-7 DIODE ARRAY 325V 250MA SOT563
相关代理商/技术参数
BAV99-T3 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV99T-7 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 85V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99T-7-F 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 85V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99TA 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99TB 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAV99TC 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAV99TE6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SC-75 T/R
BAV99TE6433XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 85V 0.2A 3-Pin SC-75 T/R